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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A；26.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 7.4W；83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 51nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.848nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AON6282采用沟槽MOSFET技术,该技术经过独特优化,可提供最高效的高频开关性能。由于RDS(ON)、Ciss和Coss的组合极低,导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合用于消费、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。