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NVMTS6D0N15MC实物图
  • NVMTS6D0N15MC商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NVMTS6D0N15MC

N沟道,电流:128A,耐压:150V

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NVMTS6D0N15MC
商品编号
C3277826
商品封装
DFNW-8(8.3x8.4)​
包装方式
编带
商品毛重
0.436628克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)150V
连续漏极电流(Id)128A
导通电阻(RDS(on))6.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)237W
阈值电压(Vgs(th))4.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)58nC@10V
输入电容(Ciss)4.815nF
反向传输电容(Crss)9.7pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.482nF

商品概述

RM90N40DF采用先进的沟槽技术和设计,在提供极低导通电阻RDS(ON)的同时,具备低栅极电荷。它可应用于各种不同的领域。

商品特性

  • 小封装尺寸(8x8 mm),适合紧凑设计
  • 低导通电阻RDS(on),可将传导损耗降至最低
  • 低栅极电荷QG和电容,可将驱动损耗降至最低
  • 通过AEC-Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
  • 这些器件无铅、无卤/无溴化阻燃剂(BFR),符合RoHS标准

应用领域

  • 负载开关
  • 硬开关和高频电路
  • 不间断电源

数据手册PDF