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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

RFW2N06RLE

N沟道,电流:2A,耐压:60V

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品牌名称
TI(德州仪器)
商品型号
RFW2N06RLE
商品编号
C3277849
商品封装
DIP-4​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@5V
耗散功率(Pd)-
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20nC@5V
输入电容(Ciss)535pF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)175pF

商品概述

RM42P30DN采用先进的沟槽技术和设计,可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻(RDS(ON))。它可用于各种应用。

商品特性

  • 2A,60V
  • rDS(on) = 0.160Ω
  • UIS额定曲线(单脉冲)
  • 针对5伏栅极驱动进行优化设计
  • 可直接由CMOS、NMOS、TTL电路驱动
  • 符合汽车驱动要求
  • 安全工作区受功率耗散限制
  • 纳秒级开关速度
  • 线性传输特性
  • 高输入阻抗
  • 多数载流子器件
  • 静电放电保护

应用领域

  • 次级侧同步整流器
  • POL DC/DC转换器中的高端开关

数据手册PDF