RFW2N06RLE
N沟道,电流:2A,耐压:60V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFW2N06RLE
- 商品编号
- C3277849
- 商品封装
- DIP-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 535pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品概述
RFW2N06RLE (TA9861) N沟道逻辑电平ESD保护功率MOSFET采用MegaFET工艺制造。该工艺采用的特征尺寸接近大规模集成电路(LSI)的尺寸,能实现硅材料的最佳利用,从而带来出色的性能。RFW2N06RLE专为与逻辑电平(5V)驱动源配合使用而设计,适用于可编程控制器、汽车开关、开关稳压器、开关转换器、电机和继电器驱动器以及双极晶体管发射极开关等应用。这种性能通过特殊的栅极氧化物设计实现,该设计可在3 - 5伏的栅极偏置下提供全额定电导,从而便于直接从逻辑电路电源电压进行真正的通断功率控制。 RFW2N06RLE采用4引脚六脚双列直插塑料封装(类似于JEDEC外形TO - 250)。
商品特性
- 2A,60V
- rDS(on) = 0.160Ω
- UIS额定曲线(单脉冲)
- 针对5伏栅极驱动进行优化设计
- 可直接由CMOS、NMOS、TTL电路驱动
- 符合汽车驱动要求
- 安全工作区受功率耗散限制
- 纳秒级开关速度
- 线性传输特性
- 高输入阻抗
- 多数载流子器件
- 静电放电保护
应用领域
- 次级侧同步整流器
- POL DC/DC转换器中的高端开关