RFW2N06RLE
N沟道,电流:2A,耐压:60V
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- RFW2N06RLE
- 商品编号
- C3277849
- 商品封装
- DIP-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 535pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 175pF |
商品概述
RM42P30DN采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）。它可用于各种应用。
商品特性
- 漏源电压（VDS） = -30V，漏极电流（ID） = -42A
- 栅源电压（VGS） = -10V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 14mΩ
- 栅源电压（VGS） = -4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)） < 22mΩ
- 高密度单元设计，实现超低导通电阻
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 具有高雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 采用特殊工艺技术，具备高ESD能力
应用领域
- 次级侧同步整流器
- POL DC/DC转换器中的高端开关