IRFD9110
1个P沟道 耐压:100V 电流:700mA
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFD9110
- 商品编号
- C3277852
- 商品封装
- DIP-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 180pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
商品概述
RM20P30D3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30V，漏极电流ID = -20A
- 当栅源电压VGS = -4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 25 mΩ
- 当栅源电压VGS = -10V时，导通电阻RDS(ON) < 15 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 无卤化