STDLED625H
N沟道,电流:4.5A,耐压:620V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STDLED625H
- 商品编号
- C3277859
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 620V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 70W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC | |
| 输入电容(Ciss) | 560pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RM30P30D3采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于负载开关或PWM应用。
商品特性
- 漏源电压VDS = -30 V，漏极电流ID = -30 A
- 当栅源电压VGS = -4.5 V时，导通电阻RDS(ON) < 13 mΩ
- 当栅源电压VGS = -10 V时，导通电阻RDS(ON) < 10 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理
- 无卤