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NVD360N65S3T4G
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
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- 描述
- 特性：超低栅极电荷和低有效输出电容。 较低的品质因数（RDS(on)最大值 x Qg典型值和RDS(on)最大值 x Eoss）。 100%雪崩测试。 通过AEC-Q101认证且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVD360N65S3T4G
- 商品编号
- C3277862
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.424克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 83W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 756pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
RM25N30DN采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 超低栅极电荷与低有效输出电容
- 更低的品质因数(RDS(on))最大值 × Qg 典型值以及 RDS(on) 最大值 × EOSS
- 经过 100% 雪崩测试
- 通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关模式电源及通用应用
- 硬开关和高频电路
- 不间断电源