STD40NF03LT4
N沟道,电流:40A,耐压:30V
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD40NF03LT4
- 商品编号
- C3277855
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19.5mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.44nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这款专用功率MOSFET采用独特的“单一特征尺寸TM”条形工艺的第三代技术。由此制成的晶体管在导通电阻和栅极电荷之间实现了最佳平衡。当在降压稳压器中用作高端和低端器件时,它在传导损耗和开关损耗方面均表现出卓越性能。这对于对快速开关和高效率有极高要求的主板而言极为重要。
商品特性
- 逻辑电平器件
- 优化的RDS(on) × Qg平衡
- 降低传导损耗
- 降低开关损耗
- 低阈值驱动
应用领域
- 开关应用