STD150N3LLH6
1个N沟道 耐压:30V 电流:80A
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD150N3LLH6
- 商品编号
- C3277856
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.476克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 425pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 740pF |
商品概述
RM80N60DF采用超级沟槽技术，该技术经过独特优化，可提供最高效的高频开关性能。由于极低的RDS(ON)和Qg组合，导通和开关功率损耗均降至最低。该器件非常适合高频开关和同步整流。
商品特性
- VDS = 60V，ID = 80A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 4.0mΩ（典型值：3.5mΩ）
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 5.0mΩ（典型值：4.0mΩ）
- 出色的栅极电荷×RDS(ON)乘积
- 极低的导通电阻RDS(ON)
- 工作温度150°C
- 无铅引脚镀层
- 100%进行UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器-非常适合高频开关和同步整流