IRFD323
1个N沟道 耐压:350V 电流:400mA
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- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- IRFD323
- 商品编号
- C3277845
- 商品封装
- DIP-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 350V | |
| 连续漏极电流(Id) | 400mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 455pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 100pF |
商品特性
- 低栅极电荷Qg，驱动要求简单
- 改善了栅极、雪崩和动态dv/dt鲁棒性
- 对电容、雪崩电压和电流进行了全面表征
应用领域
- 开关模式电源 (SMPS)
- 不间断电源
- 高速功率开关
- 该器件仅适用于通孔应用