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NTMFSC1D9N06HL
N沟道 MOSFET,电流:199A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTMFSC1D9N06HL
- 商品编号
- C3277807
- 商品封装
- DFN-8(5x6.15)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 199A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 166W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 64nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.91nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 862pF |
商品概述
AON6912A旨在提供一个高效率同步降压功率级，可实现最优布局和电路板空间利用率。它采用双Power DFN5x6封装，集成了两个专用MOSFET。Q1“高端”MOSFET旨在最大限度地降低开关损耗。Q2“低端”MOSFET专为低RDS(ON)而设计，以减少传导损耗。AON6912A非常适合用于紧凑型DC/DC转换器应用。
商品特性
-先进的双侧散热封装-超低导通电阻RDS(ON),以最小化传导损耗-MSL1高可靠性封装设计-低栅极电荷Qg和输出电容电荷Qoss,以最小化电荷损耗-这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换-或门FET/负载开关-同步整流