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NVMFS5C404NWFET1G
1个N沟道 耐压:40V 电流:378A
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- 描述
- 特性：小尺寸（5x6 mm），适合紧凑设计。 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗。 低栅极电荷QG和电容，以最小化驱动损耗。 NVMFS5C404NWF-可焊侧翼选项，便于光学检测。 通过AEC-Q101认证，具备PPAP能力。 这些器件无铅且符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS5C404NWFET1G
- 商品编号
- C3277825
- 商品封装
- DFNW-5(4.9x5.9)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 378A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.7mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 128nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 4.6nF |