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AONR21307
1个P沟道 耐压:30V 电流:24A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AONR21307
- 商品编号
- C3277813
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W；28W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.995nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
RM60N30DF采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。该器件适用于作为负载开关或用于PWM应用。
商品特性
- VDS = 30V，ID = 58A
- 在VGS = 4.5V时，RDS(ON) < 14 mΩ
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 8.5 mΩ
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
应用领域
- PWM应用-负载开关-电源管理-无卤