温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 31W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 240pF |
商品特性
- 分裂栅沟槽 MOSFET 技术
- 低热阻
- 湿气敏感度等级 1
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无铅涂层/符合 RoHS 标准（后缀“P”表示符合 RoHS 标准，详见订购信息）