AONS21303C
1个P沟道 耐压:30V 电流:70A 电流:38A
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AONS21303C
- 商品编号
- C3277776
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 38A；70A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 138W；6.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 320nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.24nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
商品特性
- 最新先进沟槽技术
- 低RDS(ON)
- 高电流承载能力
- 符合 RoHS 标准且无卤
应用领域
-笔记本电脑交流输入负载开关-电池充放电保护