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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A；50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 820pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 沟槽功率AlphaSGT技术-低导通电阻RDS(ON)-低栅极电荷-针对快速开关应用进行优化-符合RoHS标准且无卤
商品特性
- Trench Power aMOS Technology
- Low RDS(ON)
- Low Gate Charge
- High Current Capability
- RoHS and Halogen-Free Compliant
应用领域
-计算机领域的DC/DC转换器-电信和工业领域的隔离式DC/DC转换器