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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A；24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 156W；7.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.83nF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
交货周期
订货3-5个工作日购买数量
(50个/圆盘，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个50个/圆盘
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