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NVMFS2D3P04M8LT1G
1个P沟道 耐压:40V 电流:222A
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- 描述
- 特性：低导通电阻，以减少传导损耗。 高电流能力。 规定雪崩能量。 可焊侧翼产品。 NVM前缀适用于汽车和其他需要独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC-Q101标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力。 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），并符合RoHS标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFS2D3P04M8LT1G
- 商品编号
- C3277741
- 商品封装
- DFN-5(5x6)(SO-8FL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.152克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 222A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 103W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@2.7mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 157nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.985nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
- 沟槽功率MOSFET技术
- 低RDS(on)
- 逻辑电平驱动
- 无铅引脚电镀，符合RoHS和无卤标准
应用领域
- USB PD负载开关