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NVMFWS3D0P04M8LT1G
1个P沟道 耐压:40V 电流:183A 电流:28A
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFWS3D0P04M8LT1G
- 商品编号
- C3277723
- 商品封装
- DFN-5(5x6)(SO-8FL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.179克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 183A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 171W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 124nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5.827nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 85.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.225nF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低电压应用，如汽车、DC/DC转换器，以及便携式和电池供电产品电源管理的高效开关。
商品特性
- 13.6A、60V，栅源电压（VGS） = 10 V时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 0.11 Ω
- 低栅极电荷（典型值4.8 nC）
- 低反向传输电容（典型值17 pF）
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 最高结温额定值175℃
应用领域
-汽车-DC/DC转换器-便携式和电池供电产品电源管理的高效开关
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