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NVMFWS025P04M8LT1G
P沟道 MOSFET,电流:-34.6A,耐压:-40V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVMFWS025P04M8LT1G
- 商品编号
- C3277731
- 商品封装
- DFN-5(5x6)(SO-8FL)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 34.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 44.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16.3nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.058nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 446pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020M - 6（SOT1220 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- NVMFWS025P04M8L - 可焊侧翼产品
- 小尺寸封装,适用于紧凑设计,尺寸为 5 × 6 mm
- 低导通电阻 RDS(on),以最小化传导损耗
- 低电容,以最小化驱动损耗
- 通过 AEC-Q101 认证,可提供生产件批准程序 (PPAP) 文件
- 这些器件为无铅产品,符合 RoHS 标准
应用领域
- 便携式设备充电开关
- DC - DC转换器
- 电池驱动便携式设备的电源管理
- 计算电源管理
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