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NTMFS4936NCT1G

单N沟道,电流:79A,耐压:30V

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
NTMFS4936NCT1G
商品编号
C3277721
商品封装
DFN-5(5x6)(SO-8FL)​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)79A
导通电阻(RDS(on))4.8mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)43W
阈值电压(Vgs(th))2.2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)19nC@10V
输入电容(Ciss)3.044nF
反向传输电容(Crss)39pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.014nF

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚中功率DFN2020M - 6(SOT1220 - 2)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

商品特性

  • 低导通电阻(RDS(on))、低电容和优化的栅极电荷,可最大程度降低传导、驱动和开关损耗
  • 下一代增强型体二极管,专为软恢复设计,提供类似肖特基二极管的性能
  • 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,且符合RoHS标准

应用领域

-CPU电源供应-DC-DC转换器

数据手册PDF