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NVBG015N065SC1
碳化硅N沟道MOSFET，超低栅极电荷，低有效输出电容，100%雪崩测试，符合AEC-Q101标准
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVBG015N065SC1
- 商品编号
- C3277661
- 商品封装
- D2PAK-7
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 145A | |
| 耗散功率(Pd) | 500W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 283nC | |
| 输入电容(Ciss) | 4.689nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 424pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ |