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NX138BKHH
1个N沟道 耐压:60V 电流:380mA
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- 描述
- N- 通道增强模式场效应晶体管 (FET)，采用沟槽 MOSFET 技术，采用无引脚超小型 DFN0606-3 (SOT8001) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- NX138BKHH
- 商品编号
- C3277680
- 商品封装
- DFN0606-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.014克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 380mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.3Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 700pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.1pF |
商品概述
Power MOS 8TM 是一款高速、高压 N 沟道开关模式功率 MOSFET。其专有平面条纹设计具备出色的可靠性和可制造性。通过低输入电容和超低 Crss “米勒” 电容实现低开关损耗。多晶硅栅极结构的固有栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制转换速率，即使在极高频率下进行开关操作，也能实现低电磁干扰（EMI）和可靠的并联。高雪崩能量能力提高了反激、升压、正激和其他电路的可靠性。
商品特性
- 快速开关，低 EMI/RFI
- 低导通电阻 RDS(on)
- 超低 Crss，增强抗噪能力
- 低栅极电荷
- 具备雪崩能量额定值
- 符合 RoHS 标准
应用领域
- 功率因数校正（PFC）及其他升压转换器
- 降压转换器
- 双开关正激（不对称桥）
- 单开关正激
- 反激式
- 逆变器