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PMPB07R3ENX
1个N沟道 耐压:30V 电流:17A
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- 描述
- 采用沟槽式MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020M - 6（SOT1220 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB07R3ENX
- 商品编号
- C3277700
- 商品封装
- DFN2020M-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.094克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 17A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 914pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 52pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 309pF |
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 超低栅极电荷(QG)和栅漏电荷(QGD),可实现高系统效率,尤其在较高开关频率下
- 具有软恢复功能的超快开关速度
- 低尖峰和振铃,适用于低电磁干扰(EMI)设计
- 外露漏极焊盘,具有出色的热传导性能
- 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 × 2 × 0.65 mm
应用领域
-直流-直流转换-电池管理-低端负载开关-开关电路