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PMPB10XNX
1个N沟道 耐压:30V 电流:13.5A
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- 描述
- N沟道增强型场效应晶体管(FET),采用沟槽MOSFET技术,采用无铅中功率DFN2020MD 6(SOT1220)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB10XNX
- 商品编号
- C3277705
- 商品封装
- DFN2020MD-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.761nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 119pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 137pF |
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