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MCGD25N04-TP
2个N沟道 耐压:40V 电流:25A
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- 描述
- 特性：Trench Power LV MOSFET技术。 出色的散热封装。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅表面处理/符合RoHS标准
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCGD25N04-TP
- 商品编号
- C3277718
- 商品封装
- DFN3333-D
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12126克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 18W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.5nC@0V | |
| 输入电容(Ciss) | 940pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 102pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 113pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），封装为超小型DFN1110D - 3（SOT8015）无引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 出色的散热封装
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅表面处理/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准)
应用领域
- 继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路