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PMPB12R5EPX
1个P沟道 耐压:30V 电流:12.5A
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020M - 6（SOT1220 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB12R5EPX
- 商品编号
- C3277702
- 商品封装
- DFN2020M-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.042409克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 12.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.392nF@15V | |
| 反向传输电容(Crss) | 139pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
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