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PMPB12R5EPX实物图
  • PMPB12R5EPX商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PMPB12R5EPX

1个P沟道 耐压:30V 电流:12.5A

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描述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚中功率DFN2020M - 6(SOT1220 - 2)表面贴装器件(SMD)塑料封装。
品牌名称
Nexperia(安世)
商品型号
PMPB12R5EPX
商品编号
C3277702
商品封装
DFN2020M-6​
包装方式
编带
商品毛重
0.042409克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)12.5A
导通电阻(RDS(on))15mΩ@10V
耗散功率(Pd)12.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)44nC@10V
输入电容(Ciss)1.392nF
反向传输电容(Crss)139pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品概述

采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管(FET),采用无引脚中功率DFN2020M - 6(SOT1220 - 2)表面贴装器件(SMD)塑料封装。

商品特性

  • 逻辑电平兼容
  • 沟槽MOSFET技术
  • 小型无引脚超薄SMD塑料封装:2 x 2 x 0.65 mm
  • 外露漏极焊盘,导热性能出色

应用领域

  • 便携式设备充电开关
  • 直流 - 直流转换器
  • 电池供电便携式设备的电源管理
  • 计算设备电源管理

数据手册PDF