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PMPB12R7EPX
1个P沟道 耐压:30V 电流:12.3A
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- 描述
- P沟道增强型场效应晶体管 (FET)，采用沟槽MOSFET技术，采用无铅中功率DFN2020M-6 (SOT1220-2) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMPB12R7EPX
- 商品编号
- C3277703
- 商品封装
- DFN2020M-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.061克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 49nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.638nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 164pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 191pF |
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