RV8C010UNHZGG2CR
1个N沟道 耐压:20V 电流:1A
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RV8C010UNHZGG2CR
- 商品编号
- C3277685
- 商品封装
- DFN1010-3W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 470mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚中功率DFN2020M - 6（SOT1220 - 2）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 无引脚、超小型且带有外露漏极焊盘的贴片塑料封装(1.0×1.0×0.4mm),具备出色的导热性能
- 可侧焊侧翼,便于自动光学焊接检测(AOI)
- 镀锡侧焊盘100%可焊,最小焊盘宽度达125μm
- 通过AEC-Q101认证
- 静电放电(ESD)保护能力高达2kV(人体模型HBM)
- 开关速度极快
- 超低电压驱动(2.5V驱动)
应用领域
- 开关电路
- 低端负载开关
- 继电器驱动器