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MCM3400A-TP
2个N沟道 耐压:30V 电流:5A
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- 描述
- 特性：沟槽低压MOSFET技术。 采用高密单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON)。 湿度敏感度等级1。 无卤“绿色”器件。 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级。 无铅涂层/符合RoHS标准
- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCM3400A-TP
- 商品编号
- C3277696
- 商品封装
- DFN2020-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0455克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 645pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 58pF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为隔离式DC/DC转换器应用中的初级侧开关而设计。任何需要低导通电阻和快速开关的200V MOSFET应用都将从中受益。 与具有类似漏源导通电阻（RDS(ON)）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 这使得MOSFET更容易且更安全地驱动（即使在非常高的频率下），并能提高DC/DC电源设计的整体效率。
商品特性
- 沟槽低压MOSFET技术
- 高密单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅表面处理/符合RoHS标准(“P”后缀表示符合RoHS标准)