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MCMN2014HE3-TP
N沟道,电流:15A,耐压:12V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCMN2014HE3-TP
- 商品编号
- C3277697
- 商品封装
- DFN2020-6LE
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8mΩ@8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.4W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.337nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 201pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 228pF |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用无引脚超小型DFN0606 - 3（SOT8001）表面贴装器件（SMD）塑料封装。
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 沟槽低压 MOSFET 技术
- 湿度敏感度等级 3
- 无卤,“绿色”器件
- 环氧树脂符合 UL 94 V-0 阻燃等级
- 无铅涂层/符合 RoHS 标准(后缀“P”表示符合 RoHS 标准)
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路