RV8L002SNHZGG2CR
1个N沟道 耐压:60V 电流:250mA
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- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RV8L002SNHZGG2CR
- 商品编号
- C3277687
- 商品封装
- DFN1010-3W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 250mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 工作温度 | - |
商品概述
采用沟槽MOSFET技术的无引脚超小型DFN0606-3（SOT8001）表面贴装器件（SMD）塑料封装N沟道增强型场效应晶体管（FET）。
商品特性
- 无引脚、超小尺寸且漏极焊盘外露的贴片式塑料封装(1.0×1.0×0.4mm),导热性能出色
- 侧面可焊边设计,便于自动光学焊接检测(AOI)
- 镀锡侧边焊盘可焊性达 100%,最小可焊宽度为 125μm
- 通过 AEC-Q101 认证
- 静电放电(ESD)保护能力高达 2kV(HBM)
- 开关速度极快
- 超低压驱动(2.5V 驱动)
应用领域
-开关电路-低端负载开关-继电器驱动器