RV4E031RPHZGTCR1
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.1A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- ROHM(罗姆)
- 商品型号
- RV4E031RPHZGTCR1
- 商品编号
- C3277692
- 商品封装
- DFN1616-6W
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027091克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 460pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
适用于基站应用的300 W LDMOS封装非对称Doherty功率晶体管，工作频率范围为2110 MHz至2170 MHz。
商品特性
- 低导通电阻
- 小型高功率封装
- 低电压驱动(-4V)
- 100%进行UIS测试
- 可焊侧翼,适用于自动光学焊锡检测(AOI)。电极部分保证130μm
应用领域
-开关电路-高端负载开关-高速线路驱动器