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MCM1208-TP
P沟道,电流:8A,耐压:12V
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- 品牌名称
- MCC(美微科)
- 商品型号
- MCM1208-TP
- 商品编号
- C3277695
- 商品封装
- DFN2020-6J
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 输入电容(Ciss) | 1.275nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 236pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
Power MOS 7° 是新一代低损耗、高压、N 沟道增强型功率 MOSFET。Power MOS 7° 通过显著降低 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 来解决导通损耗和开关损耗问题。Power MOS 7° 将更低的导通损耗和开关损耗与 APT 专利金属栅极结构固有的极快开关速度相结合。
商品特性
- 先进沟槽MOSFET工艺技术
- 超低导通电阻与低栅极电荷
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 湿度敏感度等级1级
- 无卤,“绿色”器件
- 无铅表面处理/符合RoHS标准(后缀“P”表示符合RoHS标准)