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BSS84AKQBZ
50V, P沟道, 沟槽MOSFET
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- 描述
- 采用沟槽MOSFET技术的P沟道增强型场效应晶体管（FET），采用超小型DFN1110D - 3（SOT8015）无引脚表面贴装器件（SMD）塑料封装。
- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- BSS84AKQBZ
- 商品编号
- C3277688
- 商品封装
- DFN1110D-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 270mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 600pC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 23.2pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.5pF |
商品特性
- 逻辑电平兼容
- 侧面可焊边,便于光学焊锡检测
- 超小型无引脚SMD塑料封装:1.1 × 1 × 0.48 mm
- 沟槽MOSFET技术
- 静电放电(ESD)保护 >1 kV HBM(H1C类)
- 通过AEC - Q101认证
应用领域
-继电器驱动器-高速线路驱动器-高端负载开关-开关电路