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PMH550UPEH
P沟道,电流:0.8A,耐压:20V
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMH550UPEH
- 商品编号
- C3277681
- 商品封装
- DFN0606-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.080333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 640mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 660mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 900pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 54.8pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11.2pF |
商品概述
SUPERFET III MOSFET是安森美半导体全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，采用电荷平衡技术，具备出色的低导通电阻和低栅极电荷性能。这项先进技术旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受极高的dv/dt速率。 因此，SUPERFET III MOSFET易驱动系列有助于解决电磁干扰（EMI）问题，使设计实现更加轻松。
商品特性
- 低阈值电压
- 极快的开关速度
- 沟槽MOSFET技术
- 高达1.8 kV HBM的静电放电(ESD)保护
- 无引脚超小型超薄SMD塑料封装:0.62 × 0.62 × 0.37 mm
应用领域
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 高端负载开关
- 开关电路