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PMH260UNEH
20V, 1.2A, 20V N沟道场效应晶体管
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- 品牌名称
- Nexperia(安世)
- 商品型号
- PMH260UNEH
- 商品编号
- C3277682
- 商品封装
- DFN0606-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0265克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 310mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 660mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 950mV@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 950pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 41pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
商品特性
- 沟槽功率低压MOSFET技术
- 高密度单元设计，低导通电阻RDS(on)
- 湿气敏感度等级1级
- 无卤，“绿色”器件
- 环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 无铅涂层/符合RoHS标准（后缀“P”表示符合RoHS标准，详见订购信息）