NDB6030PL
1个P沟道 耐压:30V 电流:30A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NDB6030PL
- 商品编号
- C3277658
- 商品封装
- D2PAK(TO-263AB)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 36nC@12V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.57nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 975pF |
商品概述
这些P沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用,如DC/DC转换器和高效开关电路,这些应用需要快速开关、低在线功率损耗和抗瞬态能力。
商品特性
- -30 A,-30 V。在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 0.042 Ω;在VGS = -10 V时,RDS(ON) = 0.025 Ω。
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
- 最高结温额定值为175°C。
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