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NDB6030PL

1个P沟道耐压:30V 电流:30A

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品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NDB6030PL
商品编号: C3277658
商品封装: D2PAK(TO-263AB)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道逻辑电平MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似漏源导通电阻（RDS(ON)）规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。其结果是，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻（RDS(ON)）和快速开关速度进行了优化。

商品特性

-30 A,-30 V。在VGS = -4.5 V时,RDS(ON) = 0.042 Ω;在VGS = -10 V时,RDS(ON) = 0.025 Ω。
规定了高温下的关键直流电气参数。
坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
高密度单元设计,实现极低的RDS(ON)
最高结温额定值为175°C。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	30A
	导通电阻(RDS(on))	21mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	36nC@12V
	输入电容(Ciss)	1.57nF
	反向传输电容(Crss)	360pF
	工作温度	-
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	975pF