FQB85N06TM
N沟道,电流:85A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB85N06TM
- 商品编号
- C3277651
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 85A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 112nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.12nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 220pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.5nF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用安森美半导体（onsemi）专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正（PFC）和电子灯镇流器。
商品特性
- 7.4 A、600 V，在VGS = 10 V、ID = 3.7 A时，RDS（on） = 1.0 Ω（最大值）
- 低栅极电荷（典型值29 nC）
- 低Crss（典型值16 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 该器件无铅、无卤化物，符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器
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