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SIHB24N80AE-GE3

1个N沟道耐压:800V 电流:21A

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIHB24N80AE-GE3
商品编号: C3277647
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 管装
商品毛重: 2.34克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管具有极短的反向恢复时间和极低的存储电荷。它专为对功率效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

低品质因数 (FOM) Ron × Qg
低有效电容 (Co(er))
降低开关和传导损耗
雪崩能量额定值 (UIS)

应用领域

服务器和电信电源
开关模式电源 (SMPS)
功率因数校正电源 (PFC)
照明
高强度气体放电灯 (HID)
荧光灯镇流器照明
工业领域
焊接
感应加热
电机驱动
电池充电器
太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	800V
	连续漏极电流(Id)	21A
	导通电阻(RDS(on))	184mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	208W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	89nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.836nF
	反向传输电容(Crss)	5pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	65pF