FQB10N20LTM
N沟道, 10A, 200V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB10N20LTM
- 商品编号
- C3277646
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 360mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 87W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 830pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 18pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 125pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过专门设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关式DC/DC转换器、开关电源和电机控制。
商品特性
- 10A、200V,VGS = 10V时,RDS(on) = 0.36 Ω
- 低栅极电荷(典型值13 nC)
- 低Crss(典型值14 pF)
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 低电平栅极驱动要求,允许直接由逻辑驱动器操作
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