HUF75939S3ST
1个N沟道 耐压:200V 电流:22A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF75939S3ST
- 商品编号
- C3277644
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.2nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体（Fairchild）专有的平面条形DMOS技术制造。 这种先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如音频放大器、DC/DC转换器的高效开关、直流电机控制和不间断电源。
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.125 Ω,vGS = 10 V
- 仿真模型
- 温度补偿的PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- 非钳位感性开关(UIS)额定曲线
应用领域
- 音频放大器
- DC/DC转换器的高效开关
- 直流电机控制
- 不间断电源
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