HUF76419S3ST_NL
1个N沟道 耐压:60V 电流:29A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- HUF76419S3ST_NL
- 商品编号
- C3277565
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 28nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 900pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 45pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 250pF |
商品概述
这款P沟道低阈值MOSFET设计用作低电压输出的线性传输元件。此外，该器件可用作低压负载开关，用于电源管理中的输出通断切换。该器件还可与需要P沟道的DC-DC转换器配合使用。
商品特性
- 超低导通电阻
- rDS(ON) = 0.035 Ω,VGS = 10 V
- rDS(ON) = 0.040 Ω,VGS = 5 V
- 仿真模型
- 温度补偿PSPICE和SABER电气模型
- Spice和SABER热阻抗模型
- 峰值电流与脉冲宽度曲线
- UIS额定曲线
- 开关时间与RGS曲线