SIHB105N60EF-GE3
N沟道MOSFET,电流:19A,耐压:600V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB105N60EF-GE3
- 商品编号
- C3277589
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 19A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 88mΩ@10V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 208W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.804nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
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