SIHB105N60EF-GE3
N沟道MOSFET,电流:19A,耐压:600V
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB105N60EF-GE3
- 商品编号
- C3277589
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 29A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 102mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 208W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 53nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.804nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 82pF |
商品概述
HUF75321 N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可实现单位硅面积尽可能低的导通电阻，从而带来出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，且二极管具有极短的反向恢复时间和低存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关，以及便携式和电池供电产品的电源管理。
商品特性
-第四代E系列技术-低品质因数 (FOM) Ron × QG-低有效电容 (Co(er))-降低开关和传导损耗-雪崩能量额定值 (UIS)-材料分类:有关合规性定义,请参阅www.vishay.com/doc?99912-符合RoHS标准-无卤
应用领域
-服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-太阳能(光伏逆变器)