FDB8878
1个N沟道 耐压:30V 电流:48A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB8878
- 商品编号
- C3277590
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 48A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 47.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.235nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源。
商品特性
- rDS(ON) = 14 mΩ,VGS = 10 V,ID = 40 A
- rDS(ON) = 18 mΩ,VGS = 4.5 V,ID = 36 A
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的rDS(ON)
- 低栅极电荷
- 高功率和电流处理能力
- 符合RoHS标准