FQB27N25TM
N沟道, 电流:25.5A, 耐压:250V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQB27N25TM
- 商品编号
- C3277596
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 180W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.45nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 470pF |
商品概述
这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。 这项先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合低压应用，如汽车、DC/DC转换器的高效开关以及直流电机控制。
商品特性
- 25.5A、250V,VGS = 10V时RDS(on) = 0.11Ω
- 低栅极电荷(典型值50nC)
- 低Crss(典型值45pF)
- 快速开关
- 100%经过雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
-高效开关式DC/DC转换器-开关电源