FDB8442-F085-FS
N沟道,电流:80A,耐压:40V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB8442-F085-FS
- 商品编号
- C3277620
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 254W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 235nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 640pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。 与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，从而使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。
商品特性
- 32 A、60 V，VGS = 10 V时，RDS(ON) = 0.027 Ω
- VGS = 6 V时，RDS(ON) = 0.032 Ω
- 规定了高温下的关键直流电气参数。
- 坚固的内部源 - 漏二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
- 高性能沟槽技术，实现极低的RDS(ON)
- 最高结温额定值为175°C。