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IRFS9N60ATRRPBF

N沟道 MOSFET,电流:9.2A,耐压:600V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRFS9N60ATRRPBF
商品编号: C3277621
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

这些微型表面贴装MOSFET具有低漏源导通电阻（RDS(on)）和真正的逻辑电平性能。双MOSFET器件专为功率效率至关重要的低压、高速开关应用而设计。典型应用包括直流-直流转换器，以及计算机、打印机、蜂窝电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理。它们还可用于磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低压电机控制。

商品特性

低漏源导通电阻（RDS(on)）提供更高效率并延长电池寿命
逻辑电平栅极驱动 - 可由逻辑IC驱动
微型SO-8表面贴装封装 – 节省电路板空间
二极管特性适用于桥式电路
二极管具有高速和软恢复特性
规定了高温下的漏源泄漏电流（IDSS）
提供SO-8封装的安装信息

应用领域

-直流-直流转换器-计算机、打印机、蜂窝电话和无绳电话等便携式和电池供电产品的电源管理-磁盘驱动器和磁带驱动器等大容量存储产品中的低压电机控制

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	9.2A
	导通电阻(RDS(on))	750mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	170W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	49nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.4nF
	反向传输电容(Crss)	1.957nF@1V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道