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IRL620STRLPBF

N沟道 MOSFET,电流:3.3A,耐压:200V

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRL620STRLPBF
商品编号: C3277629
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。其结果是，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

商品特性

表面贴装
提供卷带包装
动态dV/dt额定值
重复雪崩额定值
逻辑电平栅极驱动
在VGS = 4 V和5 V时规定RDS(on)
快速开关

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	5.2A
	导通电阻(RDS(on))	800mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	50W
	阈值电压(Vgs(th))	2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	16nC@5V
	输入电容(Ciss)	360pF
	反向传输电容(Crss)	27pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	91pF