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IRL620STRLPBF

N沟道 MOSFET,电流:3.3A,耐压:200V

品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRL620STRLPBF
商品编号: C3277629
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。与具有类似RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，这些MOSFET具有更快的开关速度和更低的栅极电荷。其结果是，该MOSFET易于驱动且驱动更安全（即使在非常高的频率下），并且能使DC/DC电源设计具有更高的整体效率。

商品特性

80 A、60 V
在VGS = 10 V时，RDS(ON) = 0.0095 Ω
在VGS = 6 V时，RDS(ON) = 0.011 Ω
规定了高温下的关键直流电气参数。
坚固的内部源极 - 漏极二极管可无需外部齐纳二极管瞬态抑制器。
高性能沟槽技术实现极低的RDS(ON)。
最高结温额定值为175°C。

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	200V
	连续漏极电流(Id)	5.2A
	导通电阻(RDS(on))	800mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	50W
	阈值电压(Vgs(th))	2V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	16nC@5.0V
	输入电容(Ciss)	360pF
	反向传输电容(Crss)	27pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	91pF