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IRF730STRRPBF

N沟道 MOSFET,电流:3.5A,耐压:400V

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品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: IRF730STRRPBF
商品编号: C3277632
商品封装: D2PAK(TO-263)
包装方式: 编带
商品毛重: 1.845克(g)

商品参数

商品概述

这些N沟道功率MOSFET采用创新的UltraFET工艺制造。这种先进的工艺技术可在单位硅片面积上实现尽可能低的导通电阻，从而实现出色的性能。该器件能够在雪崩模式下承受高能量，并且二极管具有极短的反向恢复时间和极少的存储电荷。它专为对电源效率要求较高的应用而设计，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池供电产品的电源管理。

商品特性

-可提供卷带式表面贴装产品-动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-快速开关-易于并联-驱动要求简单

应用领域

Switching regulators
Switching converters
Motor drivers
Relay drivers
Low-voltage bus switches
Power management in portable and battery-operated products

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	400V
	连续漏极电流(Id)	5.5A
	导通电阻(RDS(on))	1Ω@10V
	耗散功率(Pd)	74W
	阈值电压(Vgs(th))	4V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	38nC@10V
	输入电容(Ciss)	700pF
	反向传输电容(Crss)	64pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	170pF