FDB039N06
N沟道,电流:174A,耐压:60V
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDB039N06
- 商品编号
- C3277624
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1.845克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 174A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 231W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 133nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.235nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 580pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用仙童半导体公司专有的平面条形DMOS技术制造。这种先进技术特别针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能脉冲而设计。这些器件非常适合基于互补半桥拓扑的电子灯镇流器。
商品特性
- 在 VGS = 10 V、ID = 75 A 条件下,RDS(on) = 2.95 m Ω(典型值)
- 开关速度快
- 栅极电荷低
- 采用高性能沟槽技术,实现极低的 RDS(on)
- 具备高功率和大电流处理能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- ATX/服务器/电信电源的同步整流
- 电池保护电路
- 电机驱动和不间断电源
- 可再生能源系统